Высокая стабильность оборудования / Хорошая однородность температуры / Высокая скорость нагрева / Высокая точность управления / Хорошие показатели безопасности

Термоиндуцированное химическое осаждение из газовой фазы (CVD) - это мощный метод нанесения защитных покрытий на различные диэлектрики, полупроводники и металлические материалы, будь то в монокристаллическом, поликристаллическом, аморфном или эпитаксиальном состоянии, в больших или малых формах. Типичные материалы для нанесения покрытий включают пиролитический углерод, карбид кремния и нитрид бора. Благодаря использованию синтетических материалов покрытие получается очень чистым и отвечает типичным требованиям полупроводниковой промышленности. В зависимости от параметров процесса может быть несколько слоев, начиная от одного или нескольких атомарных слоев и заканчивая прочными защитными или функциональными слоями толщиной от 10 нанометров до сотен микрометров, а также отдельные чиповые компоненты толщиной до 100 микрометров и даже до нескольких миллиметров.

Термоиндуцированная химическая инфильтрация из паровой фазы (CVI) - это технология, связанная с CVD, которая включает проникновение пористых или волокнистых заготовок в материал матрицы для получения компонентов из композиционных материалов с улучшенными механическими свойствами, коррозионной стойкостью, термостойкостью к ударам и низким остаточным напряжением.

Использование вертикальной конструкции открывания дверцы снизу/сверху:
высокая точность загрузки и выгрузки, простота в эксплуатации;

Использование передовой технологии управления позволяет точно регулировать расход и давление MTS, стабилизировать поток воздуха для осаждения осадка в печи и иметь небольшой диапазон колебаний давления;

Хорошая однородность температуры: средняя однородность температуры составляет ±5°C; Благодаря многоканальному газоотводящему тракту поле потока однородно, отсутствуют мертвые точки осаждения, а эффект осаждения хороший;

Полностью закрытая камера осаждения с хорошим уплотнительным эффектом и сильной защитой от загрязнения; Высокие показатели безопасности: Использование HMI + PLC + PID-датчика давления обеспечивает безопасность и надежность;

Эффективная обработка высококоррозионных выхлопных газов, легковоспламеняющихся и взрывоопасных газов, твердой пыли и вязких продуктов с низкой температурой плавления, образующихся в результате осаждения; многоступенчатая эффективная система очистки выхлопных газов, безвредная для окружающей среды, позволяющая эффективно собирать смолу и побочные продукты, простая в очистке;

Используется коррозионностойкая вакуумная установка с длительным непрерывным временем работы и чрезвычайно низкой стоимостью технического обслуживания.

Печи химического осаждения из газовой фазы (карбид кремния) могут использоваться для получения стойких к окислению покрытий на поверхности и модификации матрицы материалов с использованием силана в качестве источника газа. Вертикальная печь для химического осаждения из газовой фазы (осаждение углерода) может использоваться для материалов, использующих углеводородные газы (такие как C3H8, CH4 и т.д.) в качестве источников углерода. Изотермическая обработка поверхности или подложки CVD/CVI. Горизонтальные печи химического осаждения из газовой фазы (SiC, BN) могут использоваться для нанесения покрытий на поверхность материалов, модификации матриц, получения композиционных материалов и т.д. Подложек для эпитаксиальных пластин, высокотемпературных огнеупорных материалов для кристаллических печей, пресс-форм для горячей гибки, полупроводниковых тиглей, композиционных материалов на основе керамики и т.д.